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高純蒙脫石的表面電性
來源:m.janjars.cn 發(fā)布時間:2022年07月21日
  高純蒙脫石的表面電性

  高純蒙脫石的表面電性來自于以下三方面:

  層電荷:每個晶胞可達(dá)0.6,且不受介質(zhì)pH值的影響。這是蒙脫石表面負(fù)電性的主要原因。


高純蒙脫石


  破鍵電荷:產(chǎn)生于四面體片的基面、八面體片的端面,系Si-O破鍵和Al-O(OH)破鍵的水解作用所致。當(dāng)pH值小于7時,破鍵吸引H+,表面帶正電;當(dāng)pH值大于7時,表面帶負(fù)電。

  八面體片中離子離解形成的電荷:在酸性介質(zhì)中,OH-離解占優(yōu)勢,端面電荷為正電;在堿性介質(zhì)中,Al3+離解占優(yōu)勢,端面電荷為負(fù)電;pH值為9.1左右為等電點(diǎn)。

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